● Mô tả:

Các mosfet nguồn ở chế độ tăng cường kênh N này sử dụng thiết kế công nghệ rãnh tiên tiến, cung cấp Rdson xuất sắc và điện tích cổng thấp. Phù hợp với tiêu chuẩn RoHS.

● Tính năng, đặc điểm:

● V_DS = 30V, tôi_D = 150A

● R_{DS (BẬT)}2.8 mΩ(Loại) @ V_GS = 10V

● R_{DS (BẬT)},4.4mΩ(Loại) @ V_GS = 4.5V

● Công nghệ rãnh tiên tiến

● Cung cấp RDS(ON) xuất sắc và phí cổng thấp

● Sản phẩm không chì được mua

● Ứng dụng:

● Công tắc tải
● Ứng dụngPWM
● Quản lý năng lượng