Cấu trúc bên trong của diode phục hồi nhanh khác với diode tiếp giáp PN thông thường, thuộc về diode tiếp giáp PIN, tức là vùng cơ sở I được thêm vào giữa vật liệu silicon loại P và vật liệu silicon loại N để tạo thành mã PIN tấm silicon. Do vùng cơ sở rất mỏng nên điện tích phục hồi ngược rất nhỏ nên thời gian phục hồi ngược của diode phục hồi nhanh ngắn hơn, độ sụt điện áp thuận thấp hơn và điện áp đánh thủng ngược (giá trị điện áp chịu được) cao hơn.