Trở kháng của lớp trôi của thiết bị SiC cacbua silic thấp hơn so với thiết bị Si, đồng thời có thể đạt được điện áp chịu được cao và trở kháng thấp với cấu trúc MOSFET mà không cần điều chế độ dẫn điện. Hơn nữa, về nguyên tắc, MOSFET không tạo ra dòng điện đuôi, do đó tổn thất chuyển mạch có thể giảm đáng kể và có thể thu nhỏ các thành phần tản nhiệt khi thay thế IGBT bằng SiC-MOSFET. Ngoài ra, tần số hoạt động của SiC-MOSFET có thể cao hơn nhiều so với IGBT, các bộ phận tụ điện trong mạch điện cảm của nó nhỏ hơn, dễ dàng nhận ra hệ thống có kích thước và trọng lượng nhỏ. So với cùng một Si-MOSFET điện áp 600V ~ 900V, diện tích chip SiC-MOSFET nhỏ, có thể được sử dụng trong các gói nhỏ hơn và tổn thất phục hồi diode cơ thể là rất nhỏ. Hiện nay, MOSFET SiC chủ yếu được sử dụng trong các bộ nguồn công nghiệp cao cấp, bộ biến tần và bộ chuyển đổi cao cấp, kéo và điều khiển động cơ cao cấp, v.v.